Toshiba lança comum pequeno e fino

Jun 07, 2023

KAWASAKI, Japão, 18 de maio de 2023--(BUSINESS WIRE)--A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") lançou o "SSM14N956L", um MOSFET de canal N de dreno comum de 12 V com classificação atual de 20 A, para uso em circuitos de proteção de bateria em baterias de íon-lítio (Li-ion), como as de dispositivos móveis. Os envios começam hoje.

Este comunicado de imprensa apresenta multimídia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/

Toshiba: SSM14N956L, um MOSFET de dreno comum pequeno e fino com resistência muito baixa (Gráfico: Business Wire)

As baterias de íons de lítio contam com circuitos de proteção altamente robustos para reduzir a geração de calor durante o carregamento e descarregamento e para aumentar a segurança. Esses circuitos devem apresentar baixo consumo de energia e encapsulamento de alta densidade, exigindo MOSFETs pequenos e finos e que forneçam baixa resistência On.

O SSM14N956L usa o microprocesso da Toshiba, assim como o já lançado SSM10N954L. Isso garante baixa perda de energia, devido às características de baixa resistência on-line líderes do setor[1] e baixa energia em espera, realizada pelas características de corrente de vazamento de porta-fonte baixa líderes do setor[1]. Essas qualidades ajudam a prolongar as horas de operação da bateria. O novo produto também usa uma nova embalagem pequena e fina, TCSPED-302701 (2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (típico)).

A Toshiba continuará a desenvolver produtos MOSFET para circuitos de proteção em dispositivos alimentados por baterias de íons de lítio.

Formulários

Eletrônicos de consumo e dispositivos de escritório e pessoais com bateria de íon-lítio, incluindo smartphones, tablets, bancos de energia, dispositivos vestíveis, consoles de jogos, escovas de dentes elétricas, câmeras digitais compactas, câmeras SLR digitais, etc.

Características

Líder da indústria[1] baixa resistência: RSS(ON)=1,1mΩ (típico) @VGS=3,8V

Líder da indústria[1] baixa corrente de fuga de gate-source: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

Pacote pequeno e fino do tipo TCSPED-302701: 2,74 mm x 3,0 mm, t=0,085 mm (típ.)

Estrutura de dreno comum que pode ser facilmente utilizada em circuitos de proteção de bateria

Nota:[1]: Entre produtos com as mesmas classificações. Em maio de 2023, pesquisa da Toshiba.

Especificações principais

(A menos que especificado de outra forma, Ta = 25°C)

Número da peça

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

Configuração

Dreno comum de canal N

avaliações máximas absolutas

Tensão fonte-fonte VSSS (V)

12

Tensão porta-fonte VGSS (V)

±8

Fonte de corrente (DC) IS (A)

20,0

13.5

Características elétricas

Corrente de fuga da fonte de porta IGSS

máx (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

Fonte-fonteOn-resistência RSS(ON)

tip. (mΩ)

@VGS＝4,5V

1,00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1,60

3.1

Pacotes

Nome

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

Tipo de tamanho (milímetros)

2,74x3,

t=0,085

1,49 x 2,98,

t=0,11

Verificação de amostra e disponibilidade

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Nota:[2] Produto já lançado.

Siga o link abaixo para saber mais sobre o novo produto.SSM14N956L

Para verificar a disponibilidade do novo produto em distribuidores online, visite:SSM14N956LBuy Online

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Sobre a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, fornecedora líder de semicondutores avançados e soluções de armazenamento, baseia-se em mais de meio século de experiência e inovação para oferecer aos clientes e parceiros de negócios excelentes semicondutores discretos, sistemas LSIs e produtos de HDD. Os 21.500 funcionários da empresa em todo o mundo compartilham a determinação de maximizar o valor do produto e promovem estreita colaboração com os clientes na cocriação de valor e novos mercados. Com vendas anuais próximas de 800 bilhões de ienes (US$ 6,1 bilhões), a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation espera construir e contribuir para um futuro melhor para as pessoas em todos os lugares. Saiba mais em https://toshiba.semicon-storage.com /ap-en/top.html